AI 内存 V-Die 方案亮相：侧立放置 DRAM 吞吐 540 tokens/s，较 HBM4 高 82.43%

<p data-vmark="a66c">IT之家 7 月 11 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（7 月 10 日）发布博文，报道称在 6 月召开的 IEEE / JSAP 超大规模集成电路技术研讨会上，<strong>针对 AI 加速器的内存散热与带宽瓶颈，研究团队提出 V-Die 与 MOSAIC 两种 HBM 集成方案。</strong></p><p data-vmark="a301">IT之家注：高带宽内存（HBM）是面向高性能计算与 AI 加速器的近封装内存技术，

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原文来源：IT之家

https://www.ithome.com/0/975/397.htm

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