SK 海力士联合研发忆阻器 AI 芯片：理论峰值约 2.54 TOPS，能效 21.3 TOPS/W

<p data-vmark="7372">IT之家 7 月 11 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（7 月 10 日）发布博文，报道称 SK 海力士携手 TetraMem、南加州大学，<strong>为提升边缘 AI 设备神经网络推理能效，联合开发忆阻器（memristor）存内计算 SoC。</strong></p><p data-vmark="d406">IT之家注：忆阻器是一种电阻状态可按历史电流或电压变化而改变并保留的非易失性器件，可同时承担存储与计算相关功能。在 A

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原文来源：IT之家

https://www.ithome.com/0/975/403.htm

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