消息称 SK 海力士计划重启大连二厂扩建工程，将生产 238 层 NAND 闪存芯片

<p data-vmark="2495">IT之家 7 月 10 日消息，据韩媒 newstomato 消息，业界消息透露，SK 海力士近期将以向中国大连第二工厂引进设备为契机，正式推进全新生产线的投资与建设。</p><p data-vmark="a541">SK 海力士计划从今年下半年起搬入生产设备，并于明年上半年分阶段完成设施建设。目前，大连第一工厂已完成向 192 层 NAND 闪存产线的升级投资以及老化设备的更换工作。</p><p data-vmark="9509">报道称，在 SK 海

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原文来源：IT之家

https://www.ithome.com/0/975/210.htm

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